美华头条综合报道 9月2日，德国蔡司半导体制造技术公司总裁兼首席执行官Frank Rohmund在台北出席SEMICON Taiwan 2026期间表示，中国要建立能够用于先进芯片大规模制造的成熟极紫外光刻技术，可能仍需要大约15年。他认为这一时间尺度属于合理估计，同时表示，由于中国相关项目的具体研发状态难以从外部完整掌握，实际进程仍存在较大不确定性。蔡司是全球EUV产业链最重要的核心供应商之一，长期为荷兰ASML提供先进光刻设备所需的精密光学系统，因此Rohmund对中国EUV技术进度的判断，也反映出当前全球先进光刻产业对中国技术水平的一种评估。

ASML目前仍是全球唯一能够商业化生产EUV光刻设备的企业，蔡司则独家提供其中的核心光学系统。两家公司自上世纪90年代开始合作，经过二十多年持续研发，建立起从极紫外光源、超精密反射镜、运动平台、晶圆定位到软件控制和设备维护的完整技术体系。现有EUV设备使用波长约13.5纳米的极紫外光，由于这种光线会被普通透镜和空气大量吸收，整个曝光系统必须在真空环境中工作，并使用多组极高精度反射镜控制光路。反射镜表面的微小误差、机械振动、光源稳定程度以及晶圆平台定位偏差，都可能直接影响芯片制造精度和良率，使EUV成为现代工业体系中工程复杂程度最高的设备之一。

中国近年来持续扩大对国产半导体制造设备的投入，光刻机是其中最受关注的领域之一。2025年初，中国深圳一个研发团队已经完成EUV原型设备，并实现极紫外光输出，设备随后进入测试阶段。这表明中国已经开始进入EUV整机工程验证阶段，但当时该系统尚未完成利用EUV设备制造可正常工作的芯片。对于先进晶圆厂而言，设备还需要在长时间连续运行过程中维持稳定曝光功率、极高套刻精度和足够晶圆吞吐量，同时满足芯片良率、维护周期和生产成本要求。光源、反射镜、掩模、光刻胶、运动控制、计量检测以及整机软件之间任何一个环节出现性能不足，都可能影响设备进入商业生产。

中国在上一代深紫外光刻设备领域的进展明显快于EUV。国产光刻设备及零部件企业正在推进浸没式DUV设备、光源、镜头、运动平台和相关材料国产化，部分中国晶圆厂也在通过增加国产设备使用比例降低对进口设备的依赖。DUV设备可以利用多重曝光技术生产部分较先进制程芯片，但随着晶体管尺寸继续缩小，多重曝光所需的工序数量、制造成本和工艺复杂度都会快速增加。对于最先进逻辑芯片，EUV能够减少部分重复曝光步骤，因此已经成为台积电、三星和英特尔等先进晶圆制造商的重要生产设备。

ASML与蔡司目前已经把技术重点推进到下一代High-NA EUV。现有主流EUV设备的数值孔径为0.33，新一代High-NA EUV提高到0.55，可以获得更高曝光分辨率，为更先进制程提供制造基础。蔡司已经重新设计适用于High-NA EUV的反射镜和投影光学系统，ASML则负责把这些光学系统与光源、晶圆平台和控制系统整合成完整设备。High-NA EUV已经开始进入先进芯片制造商的研发和验证体系，使全球EUV产业正在从第一代大规模商业化技术继续向更高精度发展。中国在研发传统EUV系统的同时，也需要面对国际领先厂商持续推进下一代设备形成的技术距离。

Rohmund同时提到半导体设备出口限制对中国自主研发产生的影响。他认为，如果欧洲和美国进一步限制中国获得现有半导体制造设备，中国企业将获得更强的动力研发替代产品。过去数年，美国、日本和荷兰陆续扩大部分先进半导体设备对华出口限制，ASML无法向中国出口EUV设备，部分先进浸没式DUV设备也受到许可证制度限制。在这一背景下，中国扩大了对国产光刻设备和其他半导体设备企业的政策支持与研发投入，国内晶圆厂也为本土设备提供了更多测试和量产验证机会。

这一变化也使中国EUV的发展速度成为未来全球半导体设备产业的重要变量。Rohmund给出的约15年时间主要建立在当前技术差距、量产经验和完整供应链能力基础上，而中国能否缩短这一周期，将取决于国产EUV设备何时完成实际芯片曝光和晶圆制造验证，以及光源、光学系统、运动平台和关键材料能否形成稳定供应。ASML和蔡司目前已经拥有成熟商业设备、长期晶圆厂运行数据以及覆盖大量专业供应商的产业体系，在先进EUV设备市场仍然保持明显优势。中国EUV研发已经进入原型设备阶段，但从原型机走向能够长期承担先进芯片大规模生产的商业系统，仍需要跨越设备性能、可靠性、良率和产业供应链等多重技术门槛。